氮化硅在半導(dǎo)體領(lǐng)域是 “不可或缺的高性能材料”，應(yīng)用集中在芯片制造工藝、封裝絕緣和高頻器件三大方向，憑借其絕緣性、耐高溫性和化學(xué)穩(wěn)定性適配半導(dǎo)體的嚴(yán)苛生產(chǎn)環(huán)境。

     芯片制造：絕緣隔離與保護(hù)層

     作為淺溝槽隔離（STI）介質(zhì)：在芯片晶圓上形成絕緣溝槽，分隔相鄰晶體管，避免電流串?dāng)_，提升芯片集成度和穩(wěn)定性。

     充當(dāng)鈍化層 / 保護(hù)層：覆蓋在芯片表面，防止金屬電極氧化、腐蝕，同時(shí)阻擋外界雜質(zhì)侵入，保護(hù)芯片核心結(jié)構(gòu)。

     封裝領(lǐng)域：高頻絕緣與散熱基材

     制作絕緣基板（DBC 基板）：用于大功率、高頻芯片的封裝，兼具優(yōu)異絕緣性和導(dǎo)熱性，快速導(dǎo)出芯片熱量，避免過(guò)熱損壞。

     作為封裝填充材料：混合樹脂制成封裝膠，提升封裝結(jié)構(gòu)的耐高溫性和機(jī)械強(qiáng)度，適配芯片的復(fù)雜封裝需求。

     高頻 / 功率器件：功能層

     用于氮化鎵（GaN）器件緩沖層：在 GaN 高頻器件制造中，氮化硅可緩解 GaN 與襯底的晶格失配，減少器件缺陷，提升其高頻、高壓下的工作穩(wěn)定性。

     制作高頻電容器介質(zhì)：利用其高介電強(qiáng)度和低損耗特性，制造高頻電路中的電容器，適配 5G、射頻通信等高頻場(chǎng)景。

     半導(dǎo)體設(shè)備：耗材與部件

     作為刻蝕 / 沉積設(shè)備部件：如等離子刻蝕機(jī)的內(nèi)襯、反應(yīng)腔部件，耐受等離子體腐蝕和高溫，延長(zhǎng)設(shè)備使用壽命，保證制程穩(wěn)定性。

     制作高精度晶圓承載件：如晶圓托盤、夾具，兼具輕量化和高剛性，避免晶圓加工過(guò)程中變形或污染。

     氮化硅憑借其工藝兼容性和場(chǎng)景擴(kuò)展性，已成為半導(dǎo)體行業(yè)突破物理限制的主要材料。隨著量子計(jì)算、硅光子學(xué)等新興領(lǐng)域的爆發(fā)，以及封裝技術(shù)的持續(xù)升級(jí)，氮化硅將在未來(lái)十年內(nèi)重塑半導(dǎo)體材料格局。